Name: FDMA86108LZ
Brand: Fairchild/ON Semiconductor
SKU: FDMA86108LZ
Availability: InStock
Rating: 5 (97 reviews)

FDMA86108LZ

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Teilenummer	FDMA86108LZ
Hersteller	Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MLP
Datenblatt	FDMA86108LZ Datenblatt
Paket	6-VDFN Exposed Pad
ECAD
Auf Lager	4.384 piece(s)
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Lieferzeit	Um bestätigt zu werden
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FDMA86108LZ Spezifikationen

Hersteller	Fairchild/ON Semiconductor
Rubrik	Diskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Paket	6-VDFN Exposed Pad
ECAD
Serie	PowerTrench?
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	2.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	3nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	163pF @ 50V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	2.4W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	243 mOhm @ 2.2A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	6-MicroFET (2x2)
Paket / Fall	6-VDFN Exposed Pad

FDMA86108LZ Datenblatt

FDMA86108LZ Packaging

FDMA86108LZ FAQ

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2. How does Heisener guarantee that FDMA86108LZ is from the original manufacturer or authorized agents?

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