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DDTC113TE-7

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Nur als Referenz

Teilenummer DDTC113TE-7
Hersteller Diodes Incorporated
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
Datenblatt DDTC113TE-7 Datenblatt
Paket SOT-523
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DDTC113TE-7 Spezifikationen

HerstellerDiodes Incorporated
RubrikDiskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Datenblatt DDTC113TE-7Datenblatt
PaketSOT-523
Serie-
Transistor-TypNPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)1k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 1mA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang250MHz
Leistung max150mW
BefestigungsartSurface Mount
Paket / FallSOT-523
LieferantengerätepaketSOT-523

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