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HUFA75639G3

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Teilenummer HUFA75639G3
Hersteller Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 56A TO-247
Datenblatt

HUFA75639G3 Datenblatt

Paket TO-247-3
ECAD
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HUFA75639G3 Spezifikationen

HerstellerFairchild/ON Semiconductor
RubrikDiskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
PaketTO-247-3
ECAD
SerieUltraFET?
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C56A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs130nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2000pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)200W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs25 mOhm @ 56A, 10V
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247-3
Paket / FallTO-247-3

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Packing
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HUFA75639G3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that HUFA75639G3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the HUFA75639G3 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of HUFA75639G3?
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    (1)Inform us within 90 days
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