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IMD6AT108

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Teilenummer IMD6AT108
Hersteller Rohm Semiconductor
Beschreibung TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Datenblatt IMD6AT108 Datenblatt
Paket SC-74, SOT-457
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IMD6AT108 Spezifikationen

HerstellerRohm Semiconductor
RubrikDiskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
Datenblatt IMD6AT108Datenblatt
PaketSC-74, SOT-457
Serie-
Transistor-Typ1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang250MHz
Leistung max300mW
BefestigungsartSurface Mount
Paket / FallSC-74, SOT-457
LieferantengerätepaketSMT6

IMD6AT108 Datenblatt

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