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2SC3646S-P-TD-E

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Nur als Referenz

Teilenummer 2SC3646S-P-TD-E
Hersteller ON Semiconductor
Beschreibung TRANS NPN 100V 1A
Datenblatt 2SC3646S-P-TD-E Datenblatt
Paket TO-243AA
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2SC3646S-P-TD-E Spezifikationen

HerstellerON Semiconductor
RubrikDiskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Datenblatt 2SC3646S-P-TD-EDatenblatt
PaketTO-243AA
Serie-
Transistor-TypNPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)100V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic400mV @ 40mA, 400mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce140 @ 100mA, 5V
Leistung max500mW
Frequenz - Übergang120MHz
Betriebstemperatur-
BefestigungsartSurface Mount
Paket / FallTO-243AA
LieferantengerätepaketPCP

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