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BSC072N03LD G

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Nur als Referenz

Teilenummer BSC072N03LD G
Hersteller Infineon Technologies
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
Datenblatt BSC072N03LD G Datenblatt
Paket 8-PowerVDFN
Auf Lager 32.525 piece(s)
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BSC072N03LD G Spezifikationen

HerstellerInfineon Technologies
RubrikDiskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt BSC072N03LD GDatenblatt
Paket8-PowerVDFN
SerieOptiMOS?
FET Typ2 N-Channel (Dual)
FET-EigenschaftLogic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss)30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C11.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs41nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3500pF @ 15V
Leistung max57W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / Fall8-PowerVDFN
LieferantengerätepaketPG-TDSON-8

BSC072N03LD G Datenblatt

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