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Teilenummer | CL32B475KBUYNWE |
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Hersteller | Samsung |
Beschreibung | CAP CER 4.7UF 50V X7R 1210 |
Datenblatt | |
Paket | 1210 (3225 Metric) |
ECAD | |
Auf Lager | 59.166 piece(s) |
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Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
CL32B475KBUYNWE D# V36:1790_07065339 |
Samsung Electro-Mechanics |
Cap Ceramic 4.7uF 50V X7R 10% Pad SMD 1210 125°C T/R RoHS: Compliant
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0 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
CL32B475KBUYNWE D# CL32B475KBUYNWE |
Samsung Semiconductor |
Cap Ceramic 4.7uF 50V X7R 10% SMD 1210 125°C Embossed Plastic T/R - Tape and Reel (Alt: CL32B475KBUYNWE) RoHS: Compliant
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0 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
CL32B475KBUYNWE |
Samsung Electro-Mechanics |
CAP CER 4.7UF 50V 10% X7R 1210 |
2000 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
CL32B475KBUYNWE D# 1276-3343-1-ND |
Samsung Electro-Mechanics |
CAP CER 4.7UF 50V X7R 1210 |
123987 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
CL32B475KBUYNWE |
Samsung Electro-Mechanics |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
CL32B475KBUYNWE |
Samsung Electro-Mechanics |
OEM/CM ONLY |
130095 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
CL32B475KBUYNWE |
Samsung Semiconductor |
RFQ |
3085 |
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DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323
TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723
DG ISO 2.5KV RS422/RS485 16SOIC
THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
FIXED IND 3.3UH 6A 30 MOHM SMD
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