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FII30-12E

FII30-12E

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Nur als Referenz

Teilenummer FII30-12E
Hersteller IXYS
Beschreibung IGBT PHASE TOP ISOPLUS I4-PAC-5
Datenblatt FII30-12E Datenblatt
Paket i4-Pac?-5
Auf Lager 432 piece(s)
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FII30-12E Spezifikationen

HerstellerIXYS
RubrikDiskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - IGBTs - Arrays
Datenblatt FII30-12EDatenblatt
Paketi4-Pac?-5
Serie-
IGBT-TypNPT
AufbauHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)33A
Leistung max150W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 20A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)200µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce1.2nF @ 25V
EingangStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Paket / Falli4-Pac?-5
LieferantengerätepaketISOPLUS i4-PAC?

FII30-12E Datenblatt

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