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FII50-12E

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Teilenummer FII50-12E
Hersteller IXYS
Beschreibung IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5
Datenblatt

FII50-12E Datenblatt

Paket i4-Pac?-5
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FII50-12E Spezifikationen

HerstellerIXYS
RubrikDiskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - IGBTs - Arrays
Paketi4-Pac?-5
Serie-
IGBT-TypNPT
AufbauHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)50A
Leistung max200W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 30A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)400µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce2nF @ 25V
EingangStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Paket / Falli4-Pac?-5
LieferantengerätepaketISOPLUS i4-PAC?

FII50-12E Datenblatt

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IGBT DIS.DIODE DUAL 32A 1200V NPT3 ISOPLUS i4-PAC

1639
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  • 1639$15,3300
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