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HGTG10N120BND

hot HGTG10N120BND

HGTG10N120BND

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Teilenummer HGTG10N120BND
Hersteller Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung IGBT 1200V 35A 298W TO247
Datenblatt

HGTG10N120BND Datenblatt
Paket TO-247-3
ECAD
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HGTG10N120BND Spezifikationen

HerstellerFairchild/ON Semiconductor
RubrikDiskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - IGBTs - Einzeln
PaketTO-247-3
ECAD
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)35A
Strom - Kollektorimpuls (Icm)80A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 10A
Leistung max298W
Energie wechseln850µJ (on), 800µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Ladung100nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C23ns/165ns
Testbedingung960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)70ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

HGTG10N120BND Datenblatt

HGTG10N120BND Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

HGTG10N120BND FAQ

  • 1. How to order HGTG10N120BND on Heisener?
    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that HGTG10N120BND is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the HGTG10N120BND. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including HGTG10N120BND on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of HGTG10N120BND products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the HGTG10N120BND price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of HGTG10N120BND fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
    Wire Transfer, PayPal, Alipay, Wechat, Credit Card, Western Union, MoneyGram, and Escrow are all acceptable.
    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
    Customers can choose industry-leading freight companies, including DHL, UPS, FedEx, TNT, and Registered Mail. Shipping insurance is also available.
    Once your order has been processed for shipment, our salesperson will send you an email advising you of the shipping status and tracking number.
    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of HGTG10N120BND?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the HGTG10N120BND we delivered, we will accept the replacement or return of the HGTG10N120BND only when all of the below conditions are fulfilled:
    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of HGTG10N120BND.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
  • 7.How to contact us to get technical supports, such as HGTG10N120BND pin diagram, HGTG10N120BND datasheet?
    If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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HGTG10N120BND Garantien

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D# E02:0323_00845961

 ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

 0
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HGTG10N120BND

D# HGTG10N120BND

 ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail - Bulk (Alt: HGTG10N120BND)

RoHS: Compliant
 0
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HGTG10N120BND

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 ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail (Alt: HGTG10N120BND)

RoHS: Compliant
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HGTG10N120BND

D# HGTG10N120BND

 ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail (Alt: HGTG10N120BND)

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 Harris Semiconductor

20
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 Fairchild Semiconductor Corporation

Fairchild Semiconductor HGTG10N120BND

 316
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D# HGTG10N120BND-ND

 ON Semiconductor

IGBT NPT 1200V 35A TO247-3

 408
Teilenummer Hersteller Beschreibung Lager

HGTG10N120BND

 ON Semiconductor

In stock shipping within 2days

 4760
Teilenummer Hersteller Beschreibung Lager

HGTG10N120BND

 ON Semiconductor

HGTG10N120BND Series 1200 V 35 A Flange Mount NPT N-Channel IGBT-TO-247

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
 5
Teilenummer Hersteller Beschreibung Lager

HGTG10N120BND

 ON Semiconductor

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 14490
Teilenummer Hersteller Beschreibung Lager

HGTG10N120BND

 ON Semiconductor

HGTG10N120BND

 1000
Teilenummer Hersteller Beschreibung Lager

HGTG10N120BND

 Harris Semiconductor

In Stock

 23
Teilenummer Hersteller Beschreibung Lager

HGTG10N120BND

 Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM Immediate delivery

 36530
Teilenummer Hersteller Beschreibung Lager

HGTG10N120BND

D# 512-HGTG10N120BND

 ON Semiconductor

IGBT Transistors 35A 1200V N-Ch

RoHS: Compliant
 498
Teilenummer Hersteller Beschreibung Lager

HGTG10N120BND.

D# 16AC0004

 ON Semiconductor

DC Collector Current:35A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV, Power Dissipation Pd:298W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV, No. of Pins:3Pins, Operating Temperature Max:150°C, Product Range:-, MSL:- RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 450
Container: Bulk
 0
Teilenummer Hersteller Beschreibung Lager

HGTG10N120BND

D# NS-HGTG10N120BND

 Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM ONLY

 6717
Teilenummer Hersteller Beschreibung Lager

HGTG10N120BND

 Harris Semiconductor

35 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247

 16
Teilenummer Hersteller Beschreibung Lager

HGTG10N120BND

 ON Semiconductor

Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A, 1200V, N-Channel, TO-247

RoHS: Compliant
 50
Teilenummer Hersteller Beschreibung Lager

HGTG10N120BND

 Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM ONLY

 24831
Teilenummer Hersteller Beschreibung Lager

HGTG10N120BND

 Fairchild Semiconductor Corporation

IN stock Immediate delivery

 36515
Teilenummer Hersteller Beschreibung Lager

HGTG10N120BND

 ON Semiconductor

shipping today

 996
Teilenummer Hersteller Beschreibung Lager

HGTG10N120BND

D# 53471937

 ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

 0
Teilenummer Hersteller Beschreibung Lager

HGTG10N120BND

 mfr

RFQ

 7338
Teilenummer Hersteller Beschreibung Lager

HGTG10N120BND

 Fairchild Semiconductor Corporation

35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

 2968

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HGTG10N120BND

Zertifizierte Qualität

Das Qualitätsversprechen von Heisener hat unsere Prozesse für Beschaffung, Prüfung, Versand und jeden Schritt dazwischen geprägt. Diese Grundlage liegt jeder Komponente zugrunde, die wir verkaufen.

ISO9001:2015, ICAS, IAF, UKAS

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