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IRF7379TR

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Teilenummer IRF7379TR
Hersteller Infineon Technologies
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Datenblatt IRF7379TR Datenblatt
Paket 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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IRF7379TR Spezifikationen

HerstellerInfineon Technologies
RubrikDiskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt IRF7379TRDatenblatt
Paket8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SerieHEXFET?
FET TypN and P-Channel
FET-EigenschaftStandard
Drain auf Source-Spannung (Vdss)30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C5.8A, 4.3A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs45 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds520pF @ 25V
Leistung max2.5W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

IRF7379TR Datenblatt

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