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PDTD113ZK,115

PDTD113ZK,115

PDTD113ZK,115

Nur als Referenz

Teilenummer PDTD113ZK,115
Hersteller NXP
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
Datenblatt

PDTD113ZK,115 Datenblatt

Paket TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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PDTD113ZK,115 Spezifikationen

HerstellerNXP
RubrikDiskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
PaketTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Serie-
Transistor-TypNPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)1k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)10k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 50mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)500nA
Frequenz - Übergang-
Leistung max250mW
BefestigungsartSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSMT3; MPAK

PDTD113ZK,115 Datenblatt

PDTD113ZK,115 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

PDTD113ZK,115 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that PDTD113ZK,115 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the PDTD113ZK,115. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including PDTD113ZK,115 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of PDTD113ZK,115 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the PDTD113ZK,115 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of PDTD113ZK,115?
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NXP Semiconductors

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