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Teilenummer | SI9926BDY-T1-GE3 |
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Hersteller | Vishay Siliconix |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC |
Datenblatt | |
Paket | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
ECAD | |
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Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
SI9926BDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC |
0 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
SI9926BDY-T1-GE3 D# SI9926BDY-T1-GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC |
0 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
SI9926BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
76325 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
SI9926BDY-T1-GE3 D# 26R1950 |
Vishay Intertechnologies |
DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, 6.2A, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:6.2A, On Resistance Rds(on):0.02ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Cut Tape
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0 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
SI9926BDY-T1-GE3 D# NS-SI9926BDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
6627 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
SI9926BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
76310 |
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+86-755-83210559-827
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