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2SJ162-E

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Teilenummer 2SJ162-E
Hersteller Renesas Electronics America
Beschreibung MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P
Datenblatt 2SJ162-E Datenblatt
Paket TO-3P-3, SC-65-3
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2SJ162-E Spezifikationen

HerstellerRenesas Electronics America
RubrikDiskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Datenblatt 2SJ162-EDatenblatt
PaketTO-3P-3, SC-65-3
Serie-
FET TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)160V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C7A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds900pF @ 10V
Vgs (Max)��15V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)100W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs-
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-3P
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3

2SJ162-E Datenblatt

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