Name: BSP171PE6327T
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP171PE6327T
Availability: InStock
Rating: 5 (140 reviews)

BSP171PE6327T

Nur als Referenz

Teilenummer	BSP171PE6327T
Hersteller	Infineon Technologies
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
Datenblatt	BSP171PE6327T Datenblatt
Paket	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
Auf Lager	2.560 piece(s)
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BSP171PE6327T Spezifikationen

Hersteller	Infineon Technologies
Rubrik	Diskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Paket	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
Serie	SIPMOS?
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	1.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 460µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	460pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1.8W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 1.9A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PG-SOT223-4
Paket / Fall	TO-261-4, TO-261AA

BSP171PE6327T Datenblatt

BSP171PE6327T Packaging

BSP171PE6327T FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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Infineon Technologies AG

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

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D# BSP171PE6327XTINTR-ND

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MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4

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D# NS-BSP171PE6327T

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