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BSP220,115

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Nur als Referenz

Teilenummer BSP220,115
Hersteller Nexperia USA Inc.
Beschreibung MOSFET P-CH 200V 0.225A SOT223
Datenblatt BSP220,115 Datenblatt
Paket TO-261-4, TO-261AA
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BSP220,115 Spezifikationen

HerstellerNexperia USA Inc.
RubrikDiskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Datenblatt BSP220,115Datenblatt
PaketTO-261-4, TO-261AA
Serie-
FET TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C225mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds90pF @ 25V
Vgs (Max)��20V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)1.5W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs12 Ohm @ 200mA, 10V
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-223
Paket / FallTO-261-4, TO-261AA

BSP220,115 Datenblatt

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