Teilenummer | EPC2019ENG |
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Hersteller | EPC |
Beschreibung | TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE |
Datenblatt | |
Paket | Die |
ECAD |
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Auf Lager | 2.288 piece(s) |
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Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion | 1755 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE |
10000 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
EPC9052 D# 917-1115-ND |
Efficient Power Conversion |
BOARD DEV EPC2012C EGAN FET |
15 |
EPC9004C D# 917-1092-ND |
Efficient Power Conversion |
BOARD DEV FOR EPC2012C 200V EGAN |
11 |
EPC9004 D# 917-1013-ND |
Efficient Power Conversion |
BOARD DEV FOR EPC2012 200V EGAN |
0 |
EPC2012C D# 917-1084-2-ND |
Efficient Power Conversion |
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE |
24551 |
EPC2012 D# 917-1017-2-ND |
Efficient Power Conversion |
GANFET N-CH 200V 3A DIE |
0 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2018 |
EPC2012C |
Efficient Power Conversion |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
20125 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
EPC2012 D# NS-EPC2012 |
EPC |
OEM/CM ONLY |
4073 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3A I(D), 200V, 0.1OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, GALLIUM NITRIDE, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET |
155 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
OEM/CM ONLY |
3685 |
EPC2012C |
EFFICIENT-POWER-CONVERSION-CORPORATION |
OEM/CM ONLY |
20095 |
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86-755-83210559-843
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