Name: FDFME3N311ZT
Brand: Fairchild/ON Semiconductor
SKU: FDFME3N311ZT
Availability: InStock
Rating: 5 (145 reviews)

FDFME3N311ZT

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Teilenummer	FDFME3N311ZT
Hersteller	Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
Datenblatt	FDFME3N311ZT Datenblatt
Paket	6-UFDFN Exposed Pad
ECAD
Auf Lager	307.464 piece(s)
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Lieferzeit	Sofort lieferbar
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FDFME3N311ZT Spezifikationen

Hersteller	Fairchild/ON Semiconductor
Rubrik	Diskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Paket	6-UFDFN Exposed Pad
ECAD
Serie	PowerTrench?
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	1.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	1.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	75pF @ 15V
Vgs (Max)	±12V
FET-Eigenschaft	Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (Max)	1.4W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	299 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	6-MicroFET (1.6x1.6)
Paket / Fall	6-UFDFN Exposed Pad

FDFME3N311ZT Datenblatt

FDFME3N311ZT Packaging

FDFME3N311ZT FAQ

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D# FDFME3N311ZT

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 6-Pin MicroFET T/R - Bulk (Alt: FDFME3N311ZT)

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Fairchild Semiconductor Corporation

MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET

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D# 2156-FDFME3N311ZT-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 30V 1.8A 6UMLP

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D# 512-FDFME3N311ZT

ON Semiconductor

MOSFET Int. NCh PowerTrench MOSFET & Sch. Diode

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D# NS-FDFME3N311ZT

Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM ONLY

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Fairchild Semiconductor Corporation

Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A, 30V, N-Channel, MOSFET

RoHS: Compliant

65451

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