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FQPF30N06

hotFQPF30N06

FQPF30N06

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Teilenummer FQPF30N06
Hersteller Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 21A TO-220F
Datenblatt FQPF30N06 Datenblatt
Paket TO-220-3 Full Pack
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FQPF30N06 Spezifikationen

HerstellerFairchild/ON Semiconductor
RubrikDiskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Datenblatt FQPF30N06Datenblatt
PaketTO-220-3 Full Pack
SerieQFET?
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C21A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds945pF @ 25V
Vgs (Max)��25V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)39W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs40 mOhm @ 10.5A, 10V
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220F
Paket / FallTO-220-3 Full Pack

FQPF30N06 Datenblatt

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