Name: GA16JT17-247
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: GA16JT17-247
Availability: InStock
Rating: 5 (171 reviews)

GA16JT17-247

Nur als Referenz

Teilenummer	GA16JT17-247
Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Beschreibung	TRANS SJT 1700V 16A TO-247AB
Datenblatt
Paket	TO-247-3
ECAD
Auf Lager	2.896 piece(s)
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GA16JT17-247 Spezifikationen

Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Rubrik	Diskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Paket	TO-247-3
ECAD
Serie	-
FET Typ	-
Technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	1700V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	16A (Tc) (90°C)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	-
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	282W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 16A
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-247AB
Paket / Fall	TO-247-3

GA16JT17-247 Packaging

GA16JT17-247 FAQ

1. How to order GA16JT17-247 on Heisener?

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2. How does Heisener guarantee that GA16JT17-247 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the GA16JT17-247 price and inventory displayed accurate?

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor 1700V50m? TO-247-3

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Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor 1700V50m? TO-247-3

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