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HAT2169H-EL-E

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HAT2169H-EL-E

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Teilenummer HAT2169H-EL-E
Hersteller Renesas Electronics America
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK
Datenblatt

HAT2169H-EL-E Datenblatt
Paket SC-100, SOT-669
ECAD
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HAT2169H-EL-E Spezifikationen

HerstellerRenesas Electronics America
RubrikDiskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
PaketSC-100, SOT-669
ECAD
Serie-
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C50A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs45nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds6650pF @ 10V
Vgs (Max)±20V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)30W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs3.5 mOhm @ 25A, 10V
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketLFPAK
Paket / FallSC-100, SOT-669

HAT2169H-EL-E Datenblatt

HAT2169H-EL-E Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

HAT2169H-EL-E FAQ

  • 1. How to order HAT2169H-EL-E on Heisener?
    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that HAT2169H-EL-E is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the HAT2169H-EL-E. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including HAT2169H-EL-E on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of HAT2169H-EL-E products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the HAT2169H-EL-E price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of HAT2169H-EL-E fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
    Wire Transfer, PayPal, Alipay, Wechat, Credit Card, Western Union, MoneyGram, and Escrow are all acceptable.
    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
    Customers can choose industry-leading freight companies, including DHL, UPS, FedEx, TNT, and Registered Mail. Shipping insurance is also available.
    Once your order has been processed for shipment, our salesperson will send you an email advising you of the shipping status and tracking number.
    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of HAT2169H-EL-E?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the HAT2169H-EL-E we delivered, we will accept the replacement or return of the HAT2169H-EL-E only when all of the below conditions are fulfilled:
    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of HAT2169H-EL-E.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
  • 7.How to contact us to get technical supports, such as HAT2169H-EL-E pin diagram, HAT2169H-EL-E datasheet?
    If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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Trans MOSFET N-CH 40V 50A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R (Alt: HAT2169H-EL-E)

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40V/50A POWER MOSFET

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MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 50A I(D), 40V, 0.006OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

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