Name: HUF76619D3ST
Brand: Fairchild/ON Semiconductor
SKU: HUF76619D3ST
Availability: InStock
Rating: 5 (83 reviews)

HUF76619D3ST

Nur als Referenz

Teilenummer	HUF76619D3ST
Hersteller	Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
Datenblatt	HUF76619D3ST Datenblatt
Paket	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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HUF76619D3ST Spezifikationen

Hersteller	Fairchild/ON Semiconductor
Rubrik	Diskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Paket	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie	UltraFET?
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	18A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	767pF @ 25V
Vgs (Max)	±16V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	75W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 18A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-252AA
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

HUF76619D3ST Datenblatt

HUF76619D3ST Packaging

HUF76619D3ST FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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D# HUF76619D3ST

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 100V 18A DPAK - Bulk (Alt: HUF76619D3ST)

RoHS: Compliant

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Fairchild Semiconductor Corporation

18950

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HUF76619D3ST

Fairchild Semiconductor Corporation

N/A 18 A, 100 V, 0.089 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

4675

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D# 2156-HUF76619D3ST-FSTR-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA

4675

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Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

5423

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Fairchild Semiconductor Corporation

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18950

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HUF76619D3ST

D# NS-HUF76619D3ST

Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM ONLY

6849

Teilenummer

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HUF76619D3ST

Fairchild Semiconductor Corporation

18A, 100V, 0.089ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-252AA

RoHS: Compliant

4675

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Fairchild Semiconductor Corporation

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