Name: HUFA75623S3ST
Brand: Fairchild/ON Semiconductor
SKU: HUFA75623S3ST
Availability: InStock
Rating: 5 (81 reviews)

HUFA75623S3ST

Nur als Referenz

Teilenummer	HUFA75623S3ST
Hersteller	Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 22A D2PAK
Datenblatt	HUFA75623S3ST Datenblatt
Paket	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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HUFA75623S3ST Spezifikationen

Hersteller	Fairchild/ON Semiconductor
Rubrik	Diskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Paket	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	UltraFET?
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	22A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	52nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	790pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	85W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	64 mOhm @ 22A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	D2PAK (TO-263AB)
Paket / Fall	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

HUFA75623S3ST Datenblatt

HUFA75623S3ST Packaging

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HUFA75623S3ST

D# HUFA75623S3ST

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 100V 22A D2PAK - Bulk (Alt: HUFA75623S3ST)

RoHS: Compliant

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HUFA75623S3ST

Fairchild Semiconductor Corporation

N/A 22 A, 100 V, 0.064 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

32730

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HUFA75623S3ST

D# 2156-HUFA75623S3ST-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 100V 22A D2PAK

32730

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HUFA75623S3ST

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

37967

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HUFA75623S3ST

Fairchild Semiconductor Corporation

22A, 100V, 0.064ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-263AB

RoHS: Compliant

32730

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