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HUFA76629D3ST

HUFA76629D3ST

HUFA76629D3ST

Nur als Referenz

Teilenummer HUFA76629D3ST
Hersteller Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
Datenblatt

HUFA76629D3ST Datenblatt

Paket TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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HUFA76629D3ST Spezifikationen

HerstellerFairchild/ON Semiconductor
RubrikDiskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
PaketTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieUltraFET?
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C20A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs46nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1285pF @ 25V
Vgs (Max)±16V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)110W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs52 mOhm @ 20A, 10V
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-252AA
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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HUFA76629D3ST Packaging

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Packing
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    (1)Inform us within 90 days
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