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Teilenummer | IPD80R3K3P7ATMA1 |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3 |
Datenblatt | |
Paket | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ECAD | |
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Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
IPD80R3K3P7ATMA1 D# E02:0323_11590669 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
0 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
IPD80R3K3P7ATMA1 D# IPD80R3K3P7ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Transistor MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin TO-252 T/R - Bulk (Alt: IPD80R3K3P7ATMA1) |
0 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
IPD80R3K3P7ATMA1 D# SP001636440 |
Infineon Technologies AG |
Transistor MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: SP001636440) RoHS: Compliant
|
0 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
IPD80R3K3P7ATMA1 D# C1S322000663914 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
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10 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
IPD80R3K3P7ATMA1 D# IPD80R3K3P7ATMA1TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 |
2500 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
IPD80R3K3P7ATMA1 D# 2771323RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 800V, 1.9A, TO-252 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
|
0 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
IPD80R3K3P7ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Single N-Channel 800 V 3.3 Ohm 6 nC CoolMOS™ Power Mosfet - DPAK RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
|
0 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
IPD80R3K3P7ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2900 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
IPD80R3K3P7ATMA1 D# 726-IPD80R3K3P7ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET LOW POWER_NEW RoHS: Compliant
|
2102 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
IPD80R3K3P7ATMA1 D# XSKDRABV0021244 |
Infineon Technologies AG | 2500 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
IPD80R3K3P7ATMA1 D# 24AC9044 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 800V, 1.9A, TO-252, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:1.9A, Drain Source Voltage Vds:800V, On Resistance Rds(on):2.8ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power DissipationRoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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979 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
IPD80R3K3P7ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
IPD80R3 - 800V CoolMOS N-Channel Power MOSFET RoHS: Compliant
|
10630 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
IPD80R3K3P7ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
3644 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
IPD80R3K3P7ATMA1 D# 45663365 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
0 |
Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
IPD80R3K3P7ATMA1 D# 2771323 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 800V, 1.9A, TO-252 RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
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974 |
Das Qualitätsversprechen von Heisener hat unsere Prozesse für Beschaffung, Prüfung, Versand und jeden Schritt dazwischen geprägt. Diese Grundlage liegt jeder Komponente zugrunde, die wir verkaufen.
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