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IRF630NSPBF

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IRF630NSPBF

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Teilenummer IRF630NSPBF
Hersteller Infineon Technologies
Beschreibung MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Datenblatt

IRF630NSPBF Datenblatt
Paket TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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IRF630NSPBF Spezifikationen

HerstellerInfineon Technologies
RubrikDiskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
PaketTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieHEXFET?
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C9.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds575pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)82W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs300 mOhm @ 5.4A, 10V
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRF630NSPBF Datenblatt

IRF630NSPBF Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

IRF630NSPBF FAQ

  • 1. How to order IRF630NSPBF on Heisener?
    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that IRF630NSPBF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRF630NSPBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRF630NSPBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRF630NSPBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRF630NSPBF price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of IRF630NSPBF fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
    Wire Transfer, PayPal, Alipay, Wechat, Credit Card, Western Union, MoneyGram, and Escrow are all acceptable.
    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
    Customers can choose industry-leading freight companies, including DHL, UPS, FedEx, TNT, and Registered Mail. Shipping insurance is also available.
    Once your order has been processed for shipment, our salesperson will send you an email advising you of the shipping status and tracking number.
    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of IRF630NSPBF?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IRF630NSPBF we delivered, we will accept the replacement or return of the IRF630NSPBF only when all of the below conditions are fulfilled:
    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IRF630NSPBF.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
  • 7.How to contact us to get technical supports, such as IRF630NSPBF pin diagram, IRF630NSPBF datasheet?
    If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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 0
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 Rochester Electronics LLC

HEXFET POWER MOSFET

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MOSFET, N, 200V, 9.5A, D2-PAK

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9.3A I(D), 200V, 0.3OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB

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