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IRF6629TR1PBF

IRF6629TR1PBF

IRF6629TR1PBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRF6629TR1PBF
Hersteller Infineon Technologies
Beschreibung MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Datenblatt

IRF6629TR1PBF Datenblatt

Paket DirectFET? Isometric MX
ECAD
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IRF6629TR1PBF Spezifikationen

HerstellerInfineon Technologies
RubrikDiskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
PaketDirectFET? Isometric MX
ECAD
SerieHEXFET?
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)25V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C29A (Ta), 180A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.35V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs51nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4260pF @ 13V
Vgs (Max)±20V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)2.8W (Ta), 100W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs2.1 mOhm @ 29A, 10V
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketDIRECTFET? MX
Paket / FallDirectFET? Isometric MX

IRF6629TR1PBF Datenblatt

IRF6629TR1PBF Packaging

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Sealing
Packing
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IRF6629TR1PBF FAQ

  • 1. How to order IRF6629TR1PBF on Heisener?
    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that IRF6629TR1PBF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRF6629TR1PBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRF6629TR1PBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRF6629TR1PBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRF6629TR1PBF price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of IRF6629TR1PBF fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
    Wire Transfer, PayPal, Alipay, Wechat, Credit Card, Western Union, MoneyGram, and Escrow are all acceptable.
    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
    Customers can choose industry-leading freight companies, including DHL, UPS, FedEx, TNT, and Registered Mail. Shipping insurance is also available.
    Once your order has been processed for shipment, our salesperson will send you an email advising you of the shipping status and tracking number.
    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of IRF6629TR1PBF?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IRF6629TR1PBF we delivered, we will accept the replacement or return of the IRF6629TR1PBF only when all of the below conditions are fulfilled:
    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IRF6629TR1PBF.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
  • 7.How to contact us to get technical supports, such as IRF6629TR1PBF pin diagram, IRF6629TR1PBF datasheet?
    If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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Single N-Channel 25 V 2.8 W 34 nC Power Mosfet Surface Mount - DirectFET

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 29A I(D), 25V, 0.0021OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

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