Name: IRF7779L2TR1PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7779L2TR1PBF
Availability: InStock
Rating: 5 (110 reviews)

IRF7779L2TR1PBF

Nur als Referenz

Teilenummer	IRF7779L2TR1PBF
Hersteller	Infineon Technologies
Beschreibung	MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
Datenblatt	IRF7779L2TR1PBF Datenblatt
Paket	DirectFET? Isometric L8
ECAD
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IRF7779L2TR1PBF Spezifikationen

Hersteller	Infineon Technologies
Rubrik	Diskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Paket	DirectFET? Isometric L8
ECAD
Serie	HEXFET?
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	150V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	375A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	150nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6660pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	3.3W (Ta), 125W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 40A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	DIRECTFET L8
Paket / Fall	DirectFET? Isometric L8

IRF7779L2TR1PBF Datenblatt

IRF7779L2TR1PBF Packaging

IRF7779L2TR1PBF FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IRF7779L2TR1PBF.

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(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET

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