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IRF7807

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Teilenummer IRF7807
Hersteller Infineon Technologies
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Datenblatt IRF7807 Datenblatt
Paket 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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IRF7807 Spezifikationen

HerstellerInfineon Technologies
RubrikDiskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Datenblatt IRF7807Datenblatt
Paket8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SerieHEXFET?
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C8.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)��12V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)2.5W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs25 mOhm @ 7A, 4.5V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-SO
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRF7807 Datenblatt

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