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NDD03N60ZT4G

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NDD03N60ZT4G

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Teilenummer NDD03N60ZT4G
Hersteller ON Semiconductor
Beschreibung MOSFET N-CH 600V DPAK
Datenblatt NDD03N60ZT4G Datenblatt
Paket TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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NDD03N60ZT4G Spezifikationen

HerstellerON Semiconductor
RubrikDiskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Datenblatt NDD03N60ZT4GDatenblatt
PaketTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Serie-
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C2.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds312pF @ 25V
Vgs (Max)��30V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)61W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs3.6 Ohm @ 1.2A, 10V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketDPAK
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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