Name: NTJS3151PT2G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTJS3151PT2G
Availability: InStock
Rating: 5 (128 reviews)

NTJS3151PT2G

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Teilenummer	NTJS3151PT2G
Hersteller	ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
Datenblatt
Paket	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
Auf Lager	3.536 piece(s)
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NTJS3151PT2G Spezifikationen

Hersteller	ON Semiconductor
Rubrik	Diskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Paket	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
Serie	-
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	12V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	2.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	400mV @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	8.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 12V
Vgs (Max)	±12V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	625mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SC-88/SC70-6/SOT-363
Paket / Fall	6-TSSOP, SC-88, SOT-363

NTJS3151PT2G Packaging

NTJS3151PT2G FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the NTJS3151PT2G we delivered, we will accept the replacement or return of the NTJS3151PT2G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NTJS3151PT2G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Single P-Channel 12 V 60 mOhm 8.6 nC 625 mW Trench Power Mosfet - SOT-363

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