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SI3410DV-T1-GE3

hotSI3410DV-T1-GE3

SI3410DV-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI3410DV-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
Datenblatt SI3410DV-T1-GE3 Datenblatt
Paket SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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SI3410DV-T1-GE3 Spezifikationen

HerstellerVishay Siliconix
RubrikDiskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Datenblatt SI3410DV-T1-GE3Datenblatt
PaketSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SerieTrenchFET?
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C8A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1295pF @ 15V
Vgs (Max)��20V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)2W (Ta), 4.1W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs19.5 mOhm @ 5A, 10V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Lieferantengerätepaket6-TSOP
Paket / FallSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

SI3410DV-T1-GE3 Datenblatt

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