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SIB437EDKT-T1-GE3

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SIB437EDKT-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SIB437EDKT-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix
Beschreibung MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6
Datenblatt SIB437EDKT-T1-GE3 Datenblatt
Paket PowerPAK? TSC-75-6
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SIB437EDKT-T1-GE3 Spezifikationen

HerstellerVishay Siliconix
RubrikDiskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Datenblatt SIB437EDKT-T1-GE3Datenblatt
PaketPowerPAK? TSC-75-6
SerieTrenchFET?
FET TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)8V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C9A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id700mV @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)��5V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)2.4W (Ta), 13W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs34 mOhm @ 3A, 4.5V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketPowerPAK? TSC75-6
Paket / FallPowerPAK? TSC-75-6

SIB437EDKT-T1-GE3 Datenblatt

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