| Teilenummer | SIHB30N60E-GE3 |
|---|---|
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK |
| Datenblatt | |
| Paket | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
|
| Auf Lager | 13.656 piece(s) |
| Stückpreis | Request a Quote |
| Lieferzeit | Um bestätigt zu werden |
| Geschatte Leveringstijd | Nov 10 - Nov 15 (Kies voor snelle verzending) |
| Angebot anfordern |
|
| Zahlungsarten | |
| Lieferservice |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Rubrik | Diskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
| Paket | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
|
| Serie | - |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 29A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 250W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 15A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
| Paket / Fall | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
|
1206CC220KAJ1A | AVX Corporation, CAP CER 22PF 630V X7R 1206, 1206 (3216 Metric), - | Aussicht |
|
1206J2500104MDR | Knowles Syfer, CAP CER 0.10UF 250V X7R 1206, 1206 (3216 Metric), - | Aussicht |
|
|
1206J0160562MXR | Knowles Syfer, CAP CER 1206, 1206 (3216 Metric), - | Aussicht |
|
8N4SV76LC-0181CDI8 | IDT, Integrated Device Technology Inc, IC OSC VCXO 66MHZ 6CLCC, 6-CLCC, - | Aussicht |
|
|
P6SMB56A R5G | TSC America Inc., DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL, 600W, DO-214AA, SMB, - | Aussicht |
|
|
BR230-290A1-28V-019M | Microsemi Corporation, RELAY, -, - | Aussicht |
|
RNC55H70R6BSB14 | Vishay Dale, RES 70.6 OHM 1/8W .1% AXIAL, Axial, - | Aussicht |
 
|
RG1608N-161-W-T5 | Susumu, RES SMD 160 OHM 0.05% 1/10W 0603, 0603 (1608 Metric), - | Aussicht |
|
ELJ-FA5R6JF | Panasonic Electronic Components, FIXED IND 5.6UH 160MA 1.6 OHM, 1210 (3225 Metric), - | Aussicht |
|
|
1900057 | Phoenix Contact, TERM BLOCK HDR 23POS 90DEG 5MM, -, - | Aussicht |
|
|
ESQT-107-02-F-Q-800 | Samtec Inc., ELEVATED 2MM SOCKETS, -, - | Aussicht |
|
|
97-3108B28-15PZ | Amphenol Industrial Operations, AB 35C 35#16 PIN PLUG, -, - | Aussicht |
Wir garantieren 100% Kundenzufriedenheit.
Unser erfahrenes Verkaufsteam und unser technisches Support-Team unterstützen unsere Dienstleistungen, um alle unsere Kunden zufriedenzustellen.
Wir bieten 90 Tage Garantie.
Wenn die Artikel, die Sie erhalten haben, nicht in perfekter Qualität sind, sind wir für Ihre Rückerstattung oder den Ersatz verantwortlich. Die Artikel müssen jedoch in ihrem ursprünglichen Zustand zurückgesandt werden.
| Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
SIHB30N60E-GE3 D# V36:1790_09219022 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
0 |
| Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
SIHB30N60E-GE3 D# SIHB30N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Rail/Tube (Alt: SIHB30N60E-GE3) RoHS: Compliant
|
0 |
| Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
SIHB30N60E-GE3 D# SIHB30N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK (Alt: SIHB30N60E-GE3) RoHS: Compliant
|
0 |
| Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
SIHB30N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies | 1000 |
| Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
SIHB30N60E-GE3 |
Vishay Semiconductors |
- Rail/Tube |
500 |
| Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
SIHB30N60EGE3 |
Vishay Intertechnologies |
Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB RoHS: Compliant
|
0 |
| Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
SIHB30N60E-GE3 D# SIHB30N60E-GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK |
305 |
| Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
SIHB30N60E-GE3 D# 2079779 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N CH, 600V, 29A, D2PAK RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
|
0 |
| Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
SIHB30N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
0 |
| Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
SIHB30N60EGE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1190 |
| Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
SIHB30N60E-GE3 D# 78-SIHB30N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) RoHS: Compliant
|
453 |
| Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
SIHB30N60E-GE3 D# NS-SIHB30N60E-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
1409 |
| Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
SIHB30N60E-GE3 D# 7689310 |
Vishay Intertechnologies |
N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin D2PAK Vishay SIHB30N60E-GE3, EA Min Qty: 1
Container: Bulk
|
251 |
| Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
SIHB30N60EGE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
2444 |
| Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
SIHB30N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) pbFree: Pb-Free
|
0 |
| Teilenummer | Hersteller | Beschreibung | Lager |
SIHB30N60E-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
20 |
Das Qualitätsversprechen von Heisener hat unsere Prozesse für Beschaffung, Prüfung, Versand und jeden Schritt dazwischen geprägt. Diese Grundlage liegt jeder Komponente zugrunde, die wir verkaufen.
Haben Sie Fragen zu SIHB30N60E-GE3 haben?
86-755-83210559 x831
Scannen, um diese Seite anzuzeigen
