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SUB75P03-07-E3

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SUB75P03-07-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SUB75P03-07-E3
Hersteller Vishay Siliconix
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 75A D2PAK
Datenblatt SUB75P03-07-E3 Datenblatt
Paket TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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SUB75P03-07-E3 Spezifikationen

HerstellerVishay Siliconix
RubrikDiskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Datenblatt SUB75P03-07-E3Datenblatt
PaketTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie-
FET TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C75A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs240nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds9000pF @ 25V
Vgs (Max)��20V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)3.75W (Ta), 187W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs7 mOhm @ 30A, 10V
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-263 (D2Pak)
Paket / FallTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SUB75P03-07-E3 Datenblatt

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