Name: TK12Q60W,S1VQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK12Q60W-S1VQ
Availability: InStock
Rating: 5 (140 reviews)

TK12Q60W,S1VQ

Nur als Referenz

Teilenummer	TK12Q60W,S1VQ
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung	MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
Datenblatt
Paket	TO-251-3 Stub Leads, IPak
ECAD
Auf Lager	3.136 piece(s)
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TK12Q60W,S1VQ Spezifikationen

Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Rubrik	Diskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Paket	TO-251-3 Stub Leads, IPak
ECAD
Serie	DTMOSIV
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	11.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 600µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	890pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	Super Junction
Verlustleistung (Max)	100W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	340 mOhm @ 5.8A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	I-Pak
Paket / Fall	TO-251-3 Stub Leads, IPak

TK12Q60W,S1VQ Packaging

TK12Q60W,S1VQ FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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Trans MOSFET N 600V 11.5A 3-Pin IPAK Tube - Tape and Reel (Alt: TK12Q60W,S1VQ)

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N-Channel MOSFET, 11.5 A, 600 V, 3-Pin IPAK Toshiba TK12Q60W,S1VQ(S, PK

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MOSFET DTMOSIV 600V 340mOhm 11.5A 100W 890pF

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MOSFET PWR MOS PD=100W F=1MHZ

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